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半導体ブロックの基本特性のプロット

簡易プロット機能により、現在のブロック パラメーター値に基づいて、半導体スイッチング デバイスの基本的な I-V 特性を可視化できます。

この機能は、Semiconductors ライブラリの次のブロックの非熱バリアント用に実装されています。

特性をプロットするには、モデルで適切な半導体ブロックを右クリックし、コンテキスト メニューから [Electrical][基本特性] を選択します。

メモ

表面電位ベースの N-Channel MOSFET ブロックと P-Channel MOSFET ブロックでは、[Electrical][特性を確認] のオプションも使用できます。このオプションによって特性ビューアー ツールが開き、ブロックの特性を詳細に調べて、ブロックの動作を一連のターゲット特性と一致させることができます。詳細については、MOSFET 特性ビューアーを参照してください。

基本特性をプロットするには、以下を行います。

  1. モデルで半導体ブロックを右クリックし、コンテキスト メニューから [Electrical][基本特性] を選択します。ブロックのパラメーター値に基づいて一連のバイアス条件が自動的に計算され、ブロックの DC I-V 特性のプロットが含まれる Figure ウィンドウが開きます。

    たとえば、次のプロットは、しきい値ベースの N-Channel MOSFET ブロックの既定のパラメーター値に対応します。

  2. ブロックのパラメーター値を変更して再び特性をプロットすると、プロットは新しいウィンドウで開きます。このようにすることで、プロットを並べて比較し、パラメーター値が結果としてブロックの DC I-V 特性に与える影響を確認することができます。

    たとえば、[R_DS(on) に対するゲート-ソース電圧、Vgs] パラメーターの値を 20 V に変更すると、新しいプロットは次のようになります。

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