ee_importDeviceParameters
XML ファイルから Simscape Electrical IGBT (Ideal, Switching) ブロック、MOSFET (Ideal, Switching) ブロック、および Diode ブロックへのデバイス パラメーターのインポート
R2021b 以降
構文
説明
ee_importDeviceParameters(
は、XML ファイル file
,"hitachi",blockPath
)file
からデバイス パラメーターを抽出し、それらを blockPath
で指定された Simscape™ ブロックにインポートし、Hitachi パラメーター化形式を使用して Simscape ブロックにインポートします。
XML ファイルは MATLAB パス上になければならず、Hitachi でサポートされるパラメーター化形式を使用している必要があります。
"hitachi"
形式の場合、この関数では次のブロックがサポートされます。
IGBT デバイスおよびダイオード デバイス向けの Hitachi 形式の XML ファイルの例については、日立の Web サイトで Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and diode modules with SPT, SPT+, SPT++ and TSPT+ chips ページを参照してください。
ee_importDeviceParameters(
は、XML ファイル file
,"infineon",blockPath
,GateResistanceOn=Rgon
,GateResistanceOff=Rgoff
)file
からパラメーターを抽出し、Infineon パラメーター化形式を使用して、それらを blockPath
で指定された Simscape ブロックにインポートします。Infineon データシートには、スイッチオンとスイッチオフのゲート抵抗値に対する依存関係が含まれています。この関数では、GateResistanceOn
引数と GateResistanceOff
引数を指定して、スイッチオンとスイッチオフのゲート抵抗の値を選択できます。
XML ファイルは MATLAB パス上になければならず、Infineon でサポートされるパラメーター化形式を使用している必要があります。
"infineon"
形式の場合、この関数では次のブロックがサポートされます。
Diode (R2024a 以降)
IGBT (Ideal, Switching) (R2024a 以降)
IGBT デバイス向けの Infineon 形式の XML ファイルの例については、Infineon の Web サイトで IGBTs – Insulated Gate Bipolar Transistors ページを参照してください。
ee_importDeviceParameters(___,
は、上記に加えて XML ファイル内の未使用のフィールドに関する警告を有効にします。 Verbose
=true)
ee_importDeviceParameters(___,
は、上記に加えて XML ファイル内の未使用のフィールドに関する警告を無効にします。 Verbose
=false)
メモ
関数 ee_importDeviceParameters
を実行した後、値に [% パラメーターが設定されていません]
を含むパラメーターがないか確認してください。この関数は、パラメーター化の後、このようなパラメーターに既定値を自動的に割り当てます。
このブロックを含むモデルをシミュレートした際に、想定どおりの結果が得られない場合は、このようなパラメーターを変更してください。このようなパラメーターの変更では不十分な場合は、忠実度や電荷ダイナミクスなどのブロックのモデリング オプションを変更してください。関数 ee_importDeviceParameters
は、特定の忠実度についてのみブロックをパラメーター化します。忠実度を変更すると、シミュレーション結果は変わります。