Simscape IGBT ブロックおよび Diode ブロックへの Infineon XML パーツのインポート
R2024a 以降
この例では、Simscape™ Electrical™ の表形式の IGBT (Ideal, Switching) ブロックおよび Diode ブロックに Infineon データシートのパラメーター化を自動的に適用する方法を説明します。
モデルの概要
InfineonIGBTHalfBridge モデルには、2 つのIGBT (Ideal, Switching)ブロックと 2 つのDiodeブロックが含まれています。これらのブロックは、誘導負荷を駆動するハーフブリッジ回路を形成しています。
Simscape ブロックへの Infineon XML パーツ データの適用
ee_importDeviceParameters関数を使用して、IGBT (Ideal, Switching) ブロックおよび Diode ブロックに XML ファイルを適用します。
AIKW40N65DF5_igbt.xml ファイルを IGBT (Ideal, Switching) ブロックに、AIKW40N65DF5_diode.xml ファイルを Diode ブロックに適用します。Infineon データシートのパラメーター化を適用するには、スイッチオンおよびスイッチオフのゲート抵抗値を指定する必要があります。
GateResistanceSwitchOn =15; % Ohm GateResistanceSwitchOff =
15; % Ohm
Simscape ブロックに適用する XML ファイルを選択します。
igbtFileName ="AIKW40N65DF5_igbt.xml"; diodeFileName =
"AIKW40N65DF5_diode.xml";
モデルを読み込み、ブロック パスを指定します。
modelName = "InfineonIGBTHalfBridge"; open_system(modelName); blockPathIGBTL = modelName + "/IGBT(L)"; blockPathIGBTH = modelName + "/IGBT(H)"; blockPathDiodeL = modelName + "/Diode(L)"; blockPathDiodeH = modelName + "/Diode(H)";
ee_importDeviceParameters 関数を使用して、ブロックに XML ファイルのデータを適用します。
% IGBT(H) device. ee_importDeviceParameters(igbtFileName, "infineon", blockPathIGBTH, ... GateResistanceOn=GateResistanceSwitchOn, ... GateResistanceOff=GateResistanceSwitchOff) % IGBT(L) device ee_importDeviceParameters(igbtFileName, "infineon", blockPathIGBTL, ... GateResistanceOn=GateResistanceSwitchOn, ... GateResistanceOff=GateResistanceSwitchOff) % Diode(H) device ee_importDeviceParameters(diodeFileName, "infineon", blockPathDiodeH, ... GateResistanceOn=GateResistanceSwitchOn) % Diode(L) device ee_importDeviceParameters(diodeFileName, "infineon", blockPathDiodeL, ... GateResistanceOn=GateResistanceSwitchOn)
シミュレーション結果のプロット
High 側の IGBT と Low 側のダイオードの電圧、電流、伝導損失、およびスイッチング損失をプロットします。
InfineonIGBTHalfBridgePlotLosses;
参考
ee_importDeviceParameters | IGBT (Ideal, Switching) | Diode
