ショットキー障壁ダイオードの特性
この例では、ショットキー バリア ダイオードの電流対電圧曲線の生成を示します。'Define Temperatures for Tests' というラベルの付いたブロックをダブルクリックして、特性をプロットする温度のベクトルを定義します。テストを実行し、モデルのハイパーリンク [plot curves] をクリックして I-V 曲線をプロットします。
このデバイスのデータシートによれば、If = 10 mA の場合に Vf = 0.4 V、If = 100 mA の場合に Vf = 0.65 V です。オーム抵抗は、より高い電圧におけるデータシートの I-V 曲線の勾配にわたって 1 に設定されます。次に、ショットキー バリア ダイオードの既定のエネルギー ギャップと飽和電流温度の指数値を選択することで、温度依存性がモデル化されます。
このテスト モデルによって生成されるプロットを使用して、データシートの I-V プロットに対して実装を検証できます。
モデル
Simscape ログからのシミュレーション結果
以下のプロットは、シミュレーション結果から抽出された、ショットキー バリア ダイオードの I-V 特性を示しています。指定した各温度に対して、モデルのシミュレーションが 1 回ずつ行われています。
リアルタイム シミュレーションの結果
この例は、以下のプラットフォームでテストされました。
Intel® 3.5 GHz i7 マルチコア CPU と 4 GB の RAM を搭載した Speedgoat™ Performance リアルタイム ターゲット マシン。
3.5 GHz の Intel® Core XEON E3-1275v3 と 4 GB の RAM を搭載した dSPACE® SCALEXIO LabBox。
Simscape のローカル ソルバーを使用することで、このモデルを 10 マイクロ秒のステップ サイズでリアルタイム実行できます。サンプル レートが小さい場合、コールド キャッシュが原因で、最初のタスク実行中にタスク オーバーランが発生する可能性があります。このオーバーランを回避するには、選択したプラットフォームがこれらのオプションをサポートしている場合、タスク オーバーランの数を制限するか、リアルタイム アプリケーションの起動フェーズにおいてタスクのオーバーラン許容回数を制限するか、周期タスクのサンプル時間を延長することで、起動時の動作を緩和できます。
