Current Limiter | Behavioral model of current limiter |
Diode | Piecewise or exponential diode |
Gate Driver | Behavioral model of gate driver integrated circuit |
GTO | Gate Turn-Off Thyristor |
Half-Bridge Driver | Behavioral model of half-bridge driver integrated circuit |
Ideal Semiconductor Switch | Ideal Semiconductor Switch |
IGBT (Ideal, Switching) | Ideal insulated-gate bipolar transistor for switching applications |
MOSFET (Ideal, Switching) | Ideal N-channel MOSFET for switching applications |
N-Channel IGBT | N-Channel insulated gate bipolar transistor |
N-Channel JFET | N-Channel junction field-effect transistor |
N-Channel LDMOS FET | N-Channel laterally diffused metal oxide semiconductor or vertically diffused metal oxide semiconductor transistors suitable for high voltage |
N-Channel MOSFET | N-Channel metal oxide semiconductor field effect transistor using either Shichman-Hodges equation or surface-potential-based model |
NPN Bipolar Transistor | NPN bipolar transistor using enhanced Ebers-Moll equations |
Optocoupler | Behavioral model of optocoupler as LED, current sensor, and controlled current source |
P-Channel JFET | P-Channel junction field-effect transistor |
P-Channel LDMOS FET | P-Channel laterally diffused metal oxide semiconductor or vertically diffused metal oxide semiconductor transistors suitable for high voltage |
P-Channel MOSFET | P-Channel metal oxide semiconductor field-effect transistor using either Shichman-Hodges equation or surface-potential-based model |
PNP Bipolar Transistor | PNP bipolar transistor using enhanced Ebers-Moll equations |
SPICE-Imported MOSFET | Predefined MOSFET parameterized by external SPICE subcircuit |
Thyristor | Thyristor using NPN and PNP transistors |
Thyristor (Piecewise Linear) | Thyristor |
ee_getEfficiency | Calculate efficiency as function of dissipated power losses |
ee_getPowerLossSummary | Calculate dissipated power losses |
ee_getPowerLossTimeSeries | Calculate dissipated power losses and return time series data |
メーカーのデータシートに記載されたデータと一致するようブロック パラメーターを指定するために使用する手法の概要。
データシートからの区分的線形ダイオード モデルのパラメーター化
メーカーのデータシートのデータと一致するように、区分的線形ダイオードのブロック パラメーターを指定する。
メーカーのデータシートのデータと一致するように、指数ダイオードのブロック パラメーターを指定する。
SPICE ネットリストからの指数ダイオードのパラメーター化
SPICE ネットリストのデータと一致するように、指数ダイオードのブロック パラメーターを指定する。
熱端子の使用による、発生する熱とデバイスの温度のシミュレーション。
ブロックのパラメーター値に基づく、半導体デバイス モデルの I-V 曲線のプロット。
指定したパラメーター値に基づく、MOSFET モデルの動作の検証。