この例では、表面電位ベースの MOSFET モデルについて、ユーザーが I-V 特性と C-V 特性のパラメーター選択の影響を確認できます。この例を開くには、MATLAB® コマンド ウィンドウで ee_mosfet_characteristics と入力します。

この例では、降圧コンバーターの出力電圧を制御する方法を説明します。デューティ比を調整するために、Control サブシステムは PI ベースの制御アルゴリズムを使用します。入力電圧はシミュレーション全体を通じて一定と見なされます。可変抵抗器がシステムに負荷を提供します。合計シミュレーション時間 (t) は 0.25 秒です。t = 0.15 秒で負荷が変化します。

この例では、4 象限チョッパーを制御する方法を説明します。Control サブシステムは、出力電流を制御するために、単純な PI ベースの制御アルゴリズムを実装します。シミュレーションでは、正と負の両方の指令値を使用します。合計シミュレーション時間 (t) は 1 秒です。t = 0.5 秒で、負荷 DC 電源 E の極性が変更されます。

これは、解析ワークフローの例のためのベース モデルです。

この例では、30V DC 電源を、制御された 15V DC 電源に変換するスイッチング電源をモデル化する方法を説明します。このモデルを使用して、インダクタンス L および平滑化コンデンサ C のサイズ決定と、フィードバック コントローラーの設計の両方ができます。連続コントローラーと離散コントローラーの間で選択することにより、離散化の影響を調べることができます。

この例では、典型的な船舶の 2 次元断面上の電力システムを説明します。このシステムは、ベース負荷、宿泊設備負荷、船首推進機、電気推進を備えています。