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ショットキー障壁ダイオードの特性

この例では、ショットキー バリア ダイオードの電流対電圧曲線の生成を示します。'Define Temperatures for Tests' というラベルの付いたブロックをダブルクリックして、特性をプロットする温度のベクトルを定義します。テストを実行し、モデルのハイパーリンク [plot curves] をクリックして I-V 曲線をプロットします。

このデバイスのデータシートによれば、If = 10 mA の場合に Vf = 0.4 V、If = 100 mA の場合に Vf = 0.65 V です。オーム抵抗は、より高い電圧におけるデータシートの I-V 曲線の勾配にわたって 1 に設定されます。次に、ショットキー バリア ダイオードの既定のエネルギー ギャップと飽和電流温度の指数値を選択することで、温度依存性がモデル化されます。

このテスト モデルによって生成されるプロットを使用して、データシートの I-V プロットに対して実装を検証できます。

モデル

Simscape ログからのシミュレーション結果

以下のプロットは、シミュレーション結果から抽出された、ショットキー バリア ダイオードの I-V 特性を示しています。指定した各温度に対して、モデルのシミュレーションが 1 回ずつ行われています。