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NPN バイポーラ トランジスタの特性

この例では、NPN バイポーラ トランジスタの Ic 対 Vce 曲線の生成を説明します。'Define Conditions (Ib and Vce)' というラベルの付いたブロックをダブルクリックして、ベース電流と、コレクターとエミッター間の最小電圧および最大電圧からなるベクトルを定義します。モデルのハイパーリンク [plot curves] をクリックしてテストを実行し、曲線のプロットを生成します。

この種のプロットをメーカー データシートと比較して、トランジスタのパラメーターが正しく実行されていることを確認できます。また、負の Vce 値の範囲を指定すると、このモデルを使用して逆領域におけるトランジスタの特性を調べることもできます。この領域では、ゲインは [逆電流伝達率、BR] パラメーターによって定義されます。逆電流ゲインを生成するには、このパラメーターを 1 より大きくします。

PNP バイポーラ トランジスタの特性を調べるには、モデル ee_pnp を開きます。

モデル

Simscape ログからのシミュレーション結果

以下のプロットは、コレクター電流 (Ic) に対するコレクター-エミッター電圧 (Vce) の特性を、さまざまなレベルのベース電流 (Ib) について示しています。