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MOSFET 特性

この例では、N チャネル MOSFET の特性曲線の生成を示します。'Define Conditions (Vg and Vds)' というラベルの付いたブロックをダブルクリックして、ゲートの電圧と、ドレインとソース間の最小電圧および最大電圧からなるベクトルを定義します。次に、モデルのハイパーリンク [結果のプロット] をクリックします。

この種のプロットをメーカーのデータシートと比較して、MOSFET のパラメーターが正しく実装されていることを確認できます。また、負の Vds 値の範囲を指定すると、このモデルを使用して逆領域における MOSFET 特性を調べることもできます。

P チャネル MOSFET の特性を確認するには、P チャネル MOSFET をライブラリからコピーして N チャネル デバイスを置き換えます。その際、2 つの出力接続を交換して、電源が引き続き接地するように注意します。通常動作を指定するには、ゲート電圧のベクトルを負にし、Vds 値範囲も負にしなければなりません。

モデル

Simscape ログからのシミュレーション結果

以下のプロットは、ある範囲のゲート電圧におけるドレイン電流対ドレイン電源電圧を示しています。