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IGBT の熱特性

この例では、2 つの異なる温度における IGBT の Ic 対 Vce 曲線の生成を説明します。プロットを生成するには、モデルの [Plot IGBT curves] というラベルの付いたハイパーリンクをクリックします。

プロットにおいて、実線はモデルの実行結果で、点線はデータシートのデータをデジタル化したものです。N チャネル IGBT コンポーネントは、Ic = 400 A、Vge = 10 V のときの Vce 値を使用してパラメーター化されています。これら 2 つの点は、モデル プロットとデータシート プロットの両方で、Vge = 10 V で交差しています。残りのブロック パラメーターをシミュレーションによって調整し、データシートとモデルのプロットができるだけ良好に一致するようにしなければなりません。詳細については、N-Channel IGBT ブロックのリファレンス ページを参照してください。

モデル

Simscape ログからのシミュレーション結果

以下のプロットは、ある範囲のゲート-エミッター電圧における、コレクター電流に対するコレクター-エミッター電圧特性を示しています。テストは 2 つの異なる温度で実行されます。結果を、メーカーのデータシートから得られたデータ点と比較します。

データシート情報は、MATLAB® Central File Exchange (https://www.mathworks.com/matlabcentral/) にあるツールを使用してデジタル化できます。