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IGBT 特性
この例では、絶縁ゲート バイポーラ トランジスタの Ic 対 Vce 曲線の生成を説明します。'Define Conditions (Vge and Vce)' というラベルの付いたブロックをダブルクリックして、ゲートとエミッター間の電圧と、コレクターとエミッター間の最小電圧および最大電圧からなるベクトルを定義します。モデルのハイパーリンク [plot curves] をクリックしてシミュレーションを実行し、シミュレーション結果をプロットします。
この種のプロットをメーカー データシートと比較して、トランジスタのパラメーターが正しく実行されていることを確認できます。
モデル
Simscape ログからのシミュレーション結果
以下のプロットは、ある範囲のゲート-エミッター電圧における、コレクター電流に対するコレクター-エミッター電圧特性を示しています。
リアルタイム シミュレーションの結果
この例は、Intel® 3.5 GHz i7 マルチコア CPU を搭載した Speedgoat Performance リアルタイム ターゲット マシンでテストされました。このモデルは、50 マイクロ秒のステップ サイズでリアル タイム実行できます。