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クラス E RF アンプ

このモデルは、回路パラメーターが 80 m の波長用に選択されたクラス E RF アンプを示します。MOSFET では Vds と Ids が同時に高くなることがないため、クラス E アンプは高い効率レベルを実現します。電圧と電流の波形を整えるために、負荷ネットワークが使用されています。このモデルは、正常動作を確認するために使用でき、コンポーネントの選択にも役立ちます。回路の正しい動作は、特に電源抵抗 R_source の影響を受けます。2 つの MOSFET の静電容量パラメーターは、FQA11N90 デバイスを代表しています。

モデル

Simscape ログからのシミュレーション結果

以下のプロットは、MOSFET A の負荷電圧、ドレイン-ソース電圧、ドレイン-ソース電流を示しています。