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半導体
ダイオードやトランジスタなどの個別半導体デバイス
個別半導体デバイスを使用して電力を変換し、整流します。
Simscape ブロック
Current Limiter | Behavioral model of current limiter |
Diode | Piecewise linear, exponential, or tabulated diode |
Gate Driver | ゲート ドライバー集積回路の動作モデル |
GTO | Gate Turn-Off Thyristor |
Half-Bridge Driver | Behavioral model of half-bridge driver integrated circuit |
Half-Bridge (Ideal, Switching) | Half-bridge with ideal switches and thermal port (R2021b 以降) |
Ideal Semiconductor Switch | Ideal Semiconductor Switch |
IGBT (Ideal, Switching) | Ideal insulated-gate bipolar transistor for switching applications |
MOSFET (Ideal, Switching) | Ideal N-channel MOSFET for switching applications |
N-Channel IGBT | N-Channel insulated gate bipolar transistor |
N-Channel JFET | N-Channel junction field-effect transistor |
N-Channel LDMOS FET | N-Channel laterally-diffused metal-oxide-semiconductor or vertically-diffused metal-oxide-semiconductor transistors suitable for high voltage |
N-Channel MOSFET | N-Channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using either Shichman-Hodges equation or surface-potential-based model |
NPN Bipolar Transistor | NPN bipolar transistor using enhanced Ebers-Moll equations |
Optocoupler | Behavioral model of optocoupler as LED, current sensor, and controlled current source |
P-Channel JFET | P-Channel junction field-effect transistor |
P-Channel LDMOS FET | P-Channel laterally-diffused metal-oxide-semiconductor or vertically-diffused metal-oxide-semiconductor transistors suitable for high voltage |
P-Channel MOSFET | P-Channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using either Shichman-Hodges equation or surface-potential-based model |
PNP Bipolar Transistor | PNP bipolar transistor using enhanced Ebers-Moll equations |
SPICE-Imported MOSFET | Predefined MOSFET parameterized by external SPICE subcircuit (R2020b 以降) |
Thyristor | Thyristor using NPN and PNP transistors |
Thyristor (Piecewise Linear) | Thyristor |
関数
ee_getEfficiency | Calculate efficiency as function of dissipated power losses |
ee_getPowerLossSummary | Calculate dissipated power losses and switching losses |
ee_getPowerLossTimeSeries | Calculate dissipated power losses and switching losses, and return time series data |
トピック
- データシートからのブロックのパラメーター化
メーカーのデータシートに記載されたデータと一致するようブロック パラメーターを指定するために使用する手法の概要。
- データシートからの区分的線形ダイオード モデルのパラメーター化
メーカーのデータシートのデータと一致するように、区分的線形ダイオードのブロック パラメーターを指定する。
- データシートからの指数ダイオードのパラメーター化
メーカーのデータシートのデータと一致するように、指数ダイオードのブロック パラメーターを指定する。
- SPICE ネットリストからの指数ダイオードのパラメーター化
SPICE ネットリストのデータと一致するように、指数ダイオードのブロック パラメーターを指定する。
- 半導体の熱効果のシミュレーション
熱端子の使用による、発生する熱とデバイスの温度のシミュレーション。
- 半導体ブロックの基本特性のプロット
ブロック パラメーター値を基に、半導体ブロックの I-V 基本特性をプロットする。
- MOSFET 特性ビューアー
指定したパラメーター値に基づく、MOSFET モデルの動作の検証。