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IGBT/Diode
理想的な IGBT、GTO、または MOSFET および逆向きに接続されたダイオードを実装する
ライブラリ
Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics
説明
IGBT/Diode ブロックは、IGBT (あるいは GTO または MOSFET)/ダイオードのペアの簡略化モードであり、そこでは強制整流デバイスおよびダイオードの順電圧が無視されます。
パラメーター
- Internal resistance Ron
IGBT デバイスの内部抵抗 Ron。単位はオーム (Ω) です。既定は
1e-3
です。- Snubber resistance Rs
スナバ抵抗。単位はオーム (Ω) です。既定は
1e5
です。[Snubber resistance Rs] パラメーターをinf
に設定すると、モデルからスナバが削除されます。- Snubber capacitance Cs
スナバ静電容量。単位はファラド (F) です。既定は
inf
です。[Snubber capacitance Cs] パラメーターを0
に設定するとスナバが削除され、inf
に設定すると抵抗スナバが得られます。- Show measurement port
オンの場合、ダイオード IGBT の電流と電圧を返すブロックへの Simulink® 出力を追加します。既定はオンです。
入力と出力
g
IGBT の開閉を制御する Simulink 信号。
m
ブロックの Simulink 出力は、2 つの信号を含むベクトルです。Simulink ライブラリで提供される Bus Selector ブロックを使用して、これらの信号を逆多重化できます。
信号
定義
単位
1
IGBT/ダイオードの電流
A
2
IGBT/ダイオードの電圧
V
仮定と制限
IGBT/Diode ブロックは、実際の IGBT デバイスおよびダイオード デバイスのマクロ モデルを実装します。デバイスの形状も、複雑な物理プロセスも考慮されません [1]。
IGBT/Diode ブロックは、スナバ回路が使用されていない限り、インダクター、電流源、あるいは開回路と直列に接続することはできません。
バージョン履歴
R2006a で導入