IGBT/Diode

理想的な IGBT、GTO、または MOSFET および逆向きに接続されたダイオードを実装する

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ライブラリ:
Simscape / Electrical / Specialized Power Systems / Power Electronics

説明

IGBT/Diode ブロックは、IGBT (あるいは GTO または MOSFET)/ダイオードのペアの簡略化モードであり、そこでは強制整流デバイスおよびダイオードの順電圧が無視されます。

仮定と制限

• IGBT/Diode ブロックは、実際の IGBT デバイスおよびダイオード デバイスのマクロ モデルを実装します。デバイスの形状も、複雑な物理プロセスも考慮されません [1]。

• IGBT/Diode ブロックは、スナバ回路が使用されていない限り、インダクタ、電流源、あるいは開回路と直列に接続することはできません。

端子

入力

g — デバイス制御信号

Simulink^® 信号

デバイスの開閉を制御する Simulink 信号。

出力

m — スイッチ出力

Simulink 信号

ブロックの Simulink 出力は、2 つの信号を含むベクトルです。Simulink ライブラリで提供される Bus Selector ブロックを使用して、これらの信号を逆多重化できます。

信号	定義	単位
1	IGBT/ダイオードの電流	A
2	IGBT/ダイオードの電圧	V

依存関係

この端子を有効にするには、[Show measurement port] パラメーターを選択します。

保存

C — IGBT コレクター

特定用途向けの電気

IGBT/ダイオード コレクターに関連付けられた特定用途向けの電気量保存端子。

E — IGBT エミッター

特定用途向けの電気

IGBT/ダイオード エミッターに関連付けられた特定用途向けの電気量保存端子。

パラメーター

ブロック パラメーターを対話的に編集するには、プロパティ インスペクターを使用します。Simulink ツールストリップの [シミュレーション] タブの [準備] ギャラリーで [プロパティ インスペクター] を選択します。

Internal resistance Ron — IGBT の内部抵抗

1e-3 (既定値) | 非負のスカラー

デバイスの内部抵抗。単位はオーム (Ω) です。

Snubber resistance Rs — スナバ抵抗

1e5 (既定値) | 非負のスカラー

スナバ抵抗。単位はオーム (Ω) です。[Snubber resistance Rs] パラメーターを inf に設定すると、モデルからスナバが削除されます。

Snubber capacitance Cs — スナバ静電容量

inf (既定値) | 非負のスカラー

スナバ静電容量。単位はファラド (F) です。[Snubber capacitance Cs] パラメーターを 0 に設定するとスナバが削除され、inf に設定すると抵抗スナバが得られます。

Show measurement port — 測定端子を表示するオプション

on (既定値) | off

オンの場合、ダイオード IGBT の電流と電圧を返すブロックへの Simulink 出力を追加します。

拡張機能

C/C++ コード生成
Simulink® Coder™ を使用して C および C++ コードを生成します。

バージョン履歴

R2006a で導入

参考

IGBT | Diode